多单元逆导型IGBT电压回跳现象的抑制策略研究

• 作者: 唐厚君 常中科 犬石昌秀
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 逆导型绝缘栅双极型晶体管 电压回跳现象 横向电子电流
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 124-127
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)在从单极性导通模式切换至双极性导通模式的过程中,存在特有的电压回跳现象,影响了器件的可靠性,增大了开关损耗.此处对RC-IGBT的导通过程进行了详细的理论分析,针对造成电压回跳现象的横向电子电流,使用微元法建立了电流微分模型,提出了一种通过优化器件底面布局来抑制电压回跳的解决策略,并给出了增加并联MOSFET单元数量、适当减小N+短路区长度、调整N+短路区位置等具体实施方案.该研究利用Silvaco TCAD仿真软件,结合半导体生产工艺,实现了实物RC-IGBT芯片的无回跳输出特性,有力验证了所提抑制策略的有效性,为RC-IGBT的设计提供了有价值的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐厚君		127	809	16.0	23.0
2	常中科		2	0	0.0	0.0
3	犬石昌秀		1	0	0.0	0.0