单层haeckelites结构Ⅲ族金属硫族化合物MX(M=Al,Ga,In;X=S,Se,Te)

• 作者: 刘慧莹 林恒福 王树申
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Ⅲ族金属硫族化合物 电子结构 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2020,（14）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 189-195
• 页数: 7页
• 字数: 3692字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191955

摘要

通过详尽的第一性原理计算,提出了一类新型的二维III族金属硫族化合物MX(M=Al,Ga,In;X=S,Se,Te)的同素异形体.这类化合物的结构是由正方形和八边形环构成的.计算得到的结合能和声子谱表明,所有的结构都同时具有能量和动力学稳定性.所有结构都是间接带隙半导体,其带隙大小随X原子由S到Se到Te的变化而减小.计算结果表明这类材料具有很广的带隙范围,从1.88到3.24 eV,同时它们的能带结构可以通过双轴应变进一步调节.这些结构具有丰富的电子结构性质和可调的带隙,有可能被用于未来纳米电子学领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘慧莹		1	0	0.0	0.0
2	王树申		1	0	0.0	0.0
3	林恒福		1	0	0.0	0.0