光场分布对GaN基绿光激光器的影响

• 作者: 刘宗顺 朱建军 杨静 梁锋 江德生 赵德刚 陈平
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光光学 氮化镓 绿光激光器 光场分布
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: “半导体激光器”专题
• 页码范围: 237-242
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL202047.0701018

摘要

详细研究了n型AlGaN限制层与InGaN上波导对GaN基绿光激光器光场分布与电学特性的影响,结果表明:增加n型AlGaN限制层厚度或提高InGaN上波导中的铟组分可以明显抑制GaN基绿光激光器的光场泄漏,改善光场分布;相比In0.02 Ga0.98N上波导,采用更高铟组分的In0.05Ga0.95N上波导可增加光场限制因子,改善绿光激光器的性能.综合调控n型限制层和上波导才能有效改善GaN基绿光激光器的光场分布,提高激光器的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江德生	中国科学院半导体研究所	14	36	3.0	5.0
2	杨静	中国科学院半导体研究所	63	548	16.0	22.0
3	赵德刚	中国科学院半导体研究所	42	214	9.0	12.0
4	朱建军	中国科学院半导体研究所	17	121	5.0	10.0
5	陈平	中国科学院半导体研究所	44	313	9.0	17.0
6	刘宗顺	中国科学院半导体研究所	8	28	3.0	5.0
7	梁锋	中国科学院半导体研究所	3	15	2.0	3.0