Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜在高热稳定性和低功耗相变存储器中的应用

• 作者: 朱小芹 胡益丰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Ge50Te50/Zn15Sb85薄膜 多层结构 热稳定性 相变存储器
• 年，卷（期）: 2020,（14）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 173-178
• 页数: 6页
• 字数: 4095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200502

摘要

采用磁控溅射方法制备了Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜.研究了薄膜的电阻随温度的变化以及薄膜的晶化激活能.通过透射电子显微镜比较了晶化前后Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜的截面多层结构.制备了基于[GT(7nm)/ZS(3nm)]5多层复合薄膜的相变存储器件,并测试了其电性能.研究表明,Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜具有较好的非晶态热稳定性和数据保持力,其器件具有较快的转变速度、较低的操作功耗和较好的循环性能.Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜是一种潜在的高热稳定性和低功耗的相变存储材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱小芹	江苏理工学院数理学院	17	28	3.0	4.0
2	胡益丰	江苏理工学院数理学院	7	13	3.0	3.0