6H-SiC单晶的中子辐照损伤及其退火特性研究

• 作者: 阮永丰 黄丽
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 6H-SiC 中子辐照 缺陷 晶格损伤 退火回复 吸收光谱
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1794-1799
• 页数: 6页
• 分类号: O77+4
• 语种: 中文

摘要

用剂量为1.72×1019 n/cm2和1.67×1020 n/cm2的中子对掺氮6H-SiC单晶进行辐照,利用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱等方法研究了辐照引起的晶格损伤及随退火温度的回复过程.结果表明:中子辐照产生的大量缺陷使SiC的光吸收明显增加;光学带隙能随辐照剂量的增加而降低,这与禁带中引入的局域态缺陷能级有关.光吸收边出现强烈的连续吸收可能归因于辐照产生的不同类型缺陷簇或局部非晶区域的光散射.对两个剂量辐照的样品进行室温到1600℃的等时退火,发现两个剂量辐照产生的晶格损伤所需的退火回复温度不同,但退火回复过程都呈现出以800℃为转折点的两个相同阶段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮永丰		57	357	11.0	14.0
2	黄丽		6	10	2.0	3.0