基于0.13μm CMOS工艺的毫米波宽带LNA设计

• 作者: 王军 陶路
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 毫米波 低噪声放大器 En-In噪声模型 反馈
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 设计与制造
• 页码范围: 110-112,121
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 字数: 1763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13873/J.1000-9787(2020)05-0110-03

摘要

针对5G通信技术在毫米波频段的应用,设计了一种25～30GHz的低噪声放大器(LNA).为了在毫米波频段实现高增益,采用了三级电路级联结构,第一级采用共源结构,第二、三级采用共源共栅(cascode)结构,在共源管和共栅管之间加入级间电感,消除级间寄生电容和抑制共栅管的输出噪声.添加反馈网络来优化电路,利用En-In噪声模型对反馈网络进行噪声分析,优化LNA噪声性能.基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,采用ADS软件平台对LNA进行仿真.实验结果表明:在25～30 GHz频段内性能良好,S11小于-12.6 dB,S22小于-13.4 dB,S21为(25.6±0.3)dB,NF为(2.27～2.77)dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王军	西南科技大学信息工程学院	47	152	6.0	9.0
2	陶路	西南科技大学信息工程学院	1	0	0.0	0.0