碳化硅绝缘栅双极型晶体管器件发展概述

• 作者: 冯旺 田晓丽 白云 陆江
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 碳化硅 高压 大功率
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 宽禁带电力电子器件的应用基础专辑
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

宽禁带半导体碳化硅(SiC)具有高击穿场强、高电子饱和速率和热导率等优点,适合制作高压、高温、高频与大功率器件.SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为一种双极型器件,结合了材料与器件结构优势,在超高压应用领域具有明显优势,成为研究热点与未来发展趋势.这里分别从P沟道SiC IGBT器件、N沟道SiC IGBT器件以及新结构在提高击穿电压、降低导通压降、优化器件折中特性和提升可靠性方面的研究,阐述了SiCIGBT器件的发展进展.SiC IGBT器件的优越性能彰显了其在高压大功率应用方面的广阔前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白云	中国科学院微电子研究所	19	37	4.0	6.0
2	冯旺	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
3	田晓丽	中国科学院微电子研究所	4	22	1.0	4.0
4	陆江	中国科学院微电子研究所	12	42	4.0	6.0