一种用于逆变器的SiC MOSFET自适应电流源驱动

• 作者: 伍群芳 朱津仪 王勤
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 逆变器 自适应电流源 驱动电路
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 宽禁带电力电子器件的应用基础专辑
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TM464
• 语种: 中文

摘要

在传统电压型SiC MOSFET驱动电路中,驱动损耗、功率管开关损耗随着主电路开关频率、电压等级的提高而增大,驱动参数固定条件下,损耗不能得到优化.针对此问题,提出了一种应用于DC/AC逆变器的SiCMOSFET自适应电流源型驱动(CSD)电路,驱动电流可随负载电流自适应变化.以一个半桥逆变器为例,阐述了控制原理,详细分析了恒流驱动下功率管的开关特性,根据SiC MOSFET的驱动要求,以一个开关周期内损耗最小为原则设计了自适电流源驱动电路.最后通过实验验证了所提方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勤		49	369	11.0	18.0
2	朱津仪		1	0	0.0	0.0
3	伍群芳		3	0	0.0	0.0