基于机械剥离 β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件的温度特性

• 作者: 刘俊 夏晓川 张赫之 梁红伟 石建军 耿昕蕾 龙泽
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氧化镓 机械剥离 肖特基二极管 温度特性
• 年，卷（期）: 2020,（13）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 290-299
• 页数: 10页
• 字数: 5123字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200424

摘要

本文制备了基于机械剥离 β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件,对该器件进行了温度特性I-V曲线测试.器件表现出了良好的二极管特性,随着温度从300 K升高至473 K,势垒高度从1.08 eV上升至1.35 eV,理想因子从1.32降低至1.19,二者表现出了较强的温度依赖特性,这表明器件的肖特基势垒存在势垒高度不均匀的问题.串联电阻随温度升高而降低,这主要是热激发载流子浓度升高导致的.本文利用势垒高度的高斯分布对器件的温度特性进行了修正,修正后的势垒高度为1.54 eV,理查孙常数为26.35 A·cm–2·K–2,更接近理论值,这表明利用高斯分布势垒高度的热电子发射模型能够很好地解释Au/Ni/β-Ga2O3肖特基二极管的I-V温度特性问题,这种方法更适合用来测量 β-Ga2O3肖特基二极管的电学参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏晓川	大连理工大学微电子学院	9	9	2.0	3.0
2	刘俊	大连理工大学微电子学院	29	66	5.0	6.0
3	梁红伟	大连理工大学微电子学院	21	81	6.0	8.0
4	龙泽	大连理工大学微电子学院	1	0	0.0	0.0
5	石建军	大连理工大学微电子学院	1	0	0.0	0.0
6	耿昕蕾	大连理工大学微电子学院	1	0	0.0	0.0
7	张赫之	大连理工大学微电子学院	1	0	0.0	0.0