基于CRC与比特交织的LDPC码3D Flash差错控制方法研究

• 作者: 郏宏鑫 郭锐
• 来源期刊: 软件导刊
• 学科: 工学
• 关键词: 三维三层单元闪存 低密度奇偶检验码 循环冗余校验 比特交织 差错控制
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 计算机网络与通信
• 页码范围: 247-251
• 页数: 5页
• 分类号: TP393
• 字数: 4480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11907/rjdk.191719

摘要

为解决3D Flash存储密度增大导致Flash整体误码率不断提高、数据可靠存储时间缩短的问题,提出一种基于循环冗余校验与比特交织的LDPC码3D Flash差错控制方法.该方法首先用CRC判决读取数据是否出错,若出错则实施LDPC纠错,避免浪费纠错资源.在数据读写过程中使用比特交织的方法改变3D TLC Flash逻辑页的比特信息存放顺序,降低3D Flash单一逻辑页误码率过高引起的不必要坏区发生概率.仿真结果表明,在3D TLC Flash信道下,LSB逻辑页的比特误码率下降约35.7％,Flash数据保留时间增加了30.9％.该差错控制方法可在3D TLC Flash控制器中实现,不仅可提高3D TLC Flash数据存储可靠性,还可延长3DTLC Flash数据可靠存储时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭锐	杭州电子科技大学通信工程学院	21	76	5.0	7.0
2	郏宏鑫	杭州电子科技大学通信工程学院	2	0	0.0	0.0