基于IR与UCEON(T)的IGBT结温测量方法对比分析

• 作者: 罗毅飞 贾英杰 马天兆
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 结温 小电流
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 138-140
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

红外(IR)探测法与小电流饱和压降UCEON(T)法是两种目前常用的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温测量方法,两种方法得到的结温存在区别与联系.针对此问题,此处首先对两种测量方法的基本原理及技术要点进行阐述;然后对基于UCEON(T)法的测温曲线进行标定;最后通过直流脉冲测试对两种结温测试结果进行对比分析.结果 表明,IGBT芯片表面的温度分布存在明显的非均匀特性,随着采样点数量的逐渐增多,UCEON(T)法的温度测量结果更加趋近于IR探测法测得的芯片表面平均温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗毅飞		7	0	0.0	0.0
2	马天兆		2	0	0.0	0.0
3	贾英杰		3	0	0.0	0.0