忱芯科技第三代半导体材料"先行者"

• 作者: 丁健
• 来源期刊: 创业邦
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 快鲤鱼
• 页码范围: 94-95
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

以碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料,被称为第三代半导体材料. 与传统材料相比,第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频,以及更强的抗辐射能力等诸多优势,因此在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用.