GaN基三维结构生长与器件应用

• 作者: 孙长征 李洪涛 汪莱 熊兵 王健 王珣 罗毅 郝智彪 韩彦军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 发光二极管 三维结构 无荧光粉白光 效率下降
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 1984-1995
• 页数: 12页
• 分类号: O484.1|O471
• 语种: 中文

摘要

目前,c面氮化镓(GaN)基发光二极管的制备技术已经十分成熟并取得了商业化成功,但仍面临极化电场导致的大电流密度下效率下降(Droop效应)和黄绿光波段效率低的问题.为消除极化电场的影响,人们开始关注半极性和非极性面GaN.其中,基于传统极性面衬底通过三维结构生长来获得半极性和非极性GaN的方法,由于其低成本和生长的灵活性,受到了广泛研究.本文首先总结了三种GaN三维结构的制备方法并分析其生长机理.接着,在此基础上介绍了不同晶面InGaN量子阱的外延生长和发光特性.最后,列举了GaN基三维结构在半极性面LED、颜色可调LED和无荧光粉白光发光二极管方面的应用.