AlGaN基深紫外发光二极管研究进展

• 作者: 吴峰 戴江南 陈长清
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN 深紫外LED 内量子效率 光提取效率 电光转换效率
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 2079-2097
• 页数: 19页
• 分类号: O734
• 语种: 中文

摘要

深紫外光源在杀菌消毒、生化检测、紫外固化、紫外通信等方面具有巨大的应用前景,基于AlGaN半导体的深紫外发光二极管(LED)因具有无毒、体积小、能耗低、寿命长、波长可调等优势,得到了广泛的关注和研究.经过近二十年的研究开发,AlGaN基深紫外LED无论是发光效率和器件寿命都得到了巨大的提升,已逐步开始商业化.然而,相对于GaN基蓝光LED,目前AlGaN基深紫外LED的效率仍旧非常低,还有很大的提升空间.本文首先介绍了深紫外LED的发展现状,并分析了导致器件效率低的原因.然后,分别从内量子效率、光提取效率以及电光转换效率三个方面对目前AlGaN基深紫外LED的研究状况进行了系统的回顾,总结了目前提高发光效率的各种手段和方法.最后对AlGaN基深紫外LED的未来发展进行了展望.