新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征

• 作者: 尹文龙 康彬 张羽 方攀 袁泽锐 谢婧 陈莹
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 红外非线性光学材料 SrCdGeSe4单晶 坩埚下降法 单晶生长 性质表征
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 中红外激光与非线性光学晶体专栏
• 页码范围: 1505-1508
• 页数: 4页
• 分类号: O782+.9
• 语种: 中文

摘要

锶镉锗硒(SrCdGeSe4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe4单晶,尺寸为φ27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe4晶片,选取一片8×8 ×2 mm3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值.结果 显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8",该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1～ 14 μm波长范围内透过率超过68％;另外,晶体在Nd∶ YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm2.