AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管温度传感器特性

• 作者: 刘俊 刘旭阳 夏晓川 张贺秋 李冰冰 梁红伟 王恒山 薛东阳
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN 高电子迁移率晶体管 温度传感器 灵敏度
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 228-233
• 页数: 6页
• 字数: 3188字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20190640

摘要

本文制作了基于无栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的温度传感器,并对其温度相关的电学特性进行了表征.实验测试了器件从50℃到400℃的变温电流-电压特性,研究了器件灵敏度随着器件沟道长宽比的变化,并研究了在300—500℃高温的空气和氮气中经过1 h恒温加热后器件的电学特性变化.理论与实验研究结果表明,随着器件沟道长宽比的增大,器件的灵敏度会随之上升;在固定电流0.01 A下,器件电压随温度变化的平均灵敏度为44.5 mV/℃.同时,稳定性实验显示器件具有较好的高温保持稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏晓川	大连理工大学微电子学院	9	9	2.0	3.0
2	张贺秋	大连理工大学微电子学院	14	41	4.0	6.0
3	刘俊	大连理工大学微电子学院	29	66	5.0	6.0
4	梁红伟	大连理工大学微电子学院	21	81	6.0	8.0
5	刘旭阳	大连理工大学微电子学院	4	0	0.0	0.0
6	李冰冰	大连理工大学微电子学院	2	0	0.0	0.0
7	薛东阳	大连理工大学微电子学院	2	0	0.0	0.0
8	王恒山	大连理工大学微电子学院	1	0	0.0	0.0