AlN单晶生长行为研究

• 作者: 史月曾 张丽 武红磊 王增华 程红娟 金雷 齐海涛
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 物理气相传输 表面形貌 台阶流 AlN晶体 同质生长
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2200-2205
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、Al基元平均动能和AlN晶体表面极性的共同影响.当温差为60℃时,AlN晶体(0001)面生长速率小于(10-10)面,AlN以带状形式生长.将该工艺应用于AlN同质生长中,研究结果表明:温差为60℃时AlN晶体(0001)面呈现畴生长模式,该晶体质量最差;温差为35℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶流生长模式,该晶体质量最优;温差为20℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶簇生长模式,该晶体容易开裂.通过工艺优化最终获得了直径为40 mm AlN单晶衬底,完全满足器件制备需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团有限公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	张丽	中国电子科技集团有限公司第四十六研究所	19	44	3.0	5.0
3	齐海涛	中国电子科技集团有限公司第四十六研究所	20	30	3.0	4.0
4	金雷	中国电子科技集团有限公司第四十六研究所	13	13	2.0	2.0
5	武红磊	中国电子科技集团有限公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0
6	王增华	中国电子科技集团有限公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0
7	史月曾	中国电子科技集团有限公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0