偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究

• 作者: 王曦 胡继超 蒲红斌 贾仁需 陈治明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 同质外延生长 三角形缺陷 形成机理
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2206-2210
• 页数: 5页
• 分类号: O782|TN304
• 语种: 中文

摘要

利用水平热壁CVD方法,基于SiH4-C3 H8-H2生长系统在n型4H-SiC偏4°衬底上进行同质外延生长.通过Nomarski光学显微镜、激光共聚焦显微镜和拉曼散射光谱(Raman),对外延层中的新形貌三角形缺陷——顶端有倒金字塔结构的三角形缺陷(IPRTD)的表面形貌、结构进行了表征,并根据表征结果提出了该新形貌三角形缺陷的产生机理.研究结果表明,IPRTD由3C-SiC晶型构成;在外延生长中,位于IPRTD生长方向上游的位错缺陷所引起的表面吸附原子的2D成核生长是导致3C-SiC晶型出现的主要原因.同时,外延生长过程中,生长速率和氢气刻蚀作用在[1120]和[1100]/[1100]方向上的差异是导致IPRTD顶端具有倒金字塔结构的主要原因.