新一代SiC功率MOSFET器件研究进展

• 作者: 刘强 李士颜 杨勇 柏松 费晨曦 郝凤斌 金晓行 黄润华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 功率 金属-氧化物半导体场效应晶体管 高压 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 2122-2127
• 页数: 6页
• 分类号: O734|TN386
• 语种: 中文

摘要

自2017年报道SiC(碳化硅)功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术进展以来,针对器件比导通电阻(RON,SP)高等问题不断优化器件结构设计,本课题组改进关键加工工艺,使1200 V SiC MOSFET的RON,SP从8 mΩ·cm2降低到4.8 mΩ·cm2.与此同时,本课题组采用新一代SiC MOSFET设计和工艺技术研制出6.5 kV、10 kV以及15 kV等高压低导通电阻SiC MOSFET,其中10 kV和15 kV器件的比导通电阻分别为144 mΩ·cm2和204 mΩ·cm2,接近单极型SiC器件的理论极限.