4H-SiC半导体同质外延生长技术进展

• 作者: 冯淦 孙永强 钱卫宁 陈志霞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 宽禁带半导体 外延生长 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 2128-2138
• 页数: 11页
• 分类号: TN304|TQ163
• 语种: 中文

摘要

4H-SiC(碳化硅)半导体是制作高温、高频、大功率电力电子器件的理想电子材料,近20年来材料生长技术水平不断提升,材料品质逐步提高.本文首先介绍了4H-SiC半导体同质外延生长的必要性,结合SiC多晶型的结构特点,介绍了4H-SiC外延生长过程中的原位掺杂浓度控制、扩展缺陷控制、点缺陷控制及高速生长控制方面的技术进展.同时,介绍了国产4H-SiC外延产业化的现状.