基于电流纹波的SiC MOSFET逆变器死区消除方法

• 作者: 于仁泽 党晓圆 李洁 李辉
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 逆变器 死区消除 电流纹波
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 宽禁带电力电子器件的应用基础专辑
• 页码范围: 50-52,63
• 页数: 4页
• 分类号: TM464
• 语种: 中文

摘要

针对碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)逆变器在高开关频率下死区效应严重的问题,提出一种基于电流纹波的死区消除策略.首先,分析了死区效应的产生原因;其次,介绍了非过零区与过零区的死区消除原则基础,通过实时计算电流纹波值,对过零区更新,提出基于电流纹波死区消除方法;最后,搭建了SiC MOSFET三相逆变器实验平台,验证了所提方法可明显提高基波电压百分比、有效降低电流中的谐波含量,且随着电压调制比的降低,所提方法仍能对死区效应起到很好的抑制效果,证明了方法的有效性.