硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究

• 作者: 叶佳佳 夏顺吉 李晨 潘睿 芦红 袁紫媛 陈延峰 魏炼
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 Si1-xGex合金 硅基锗 Ge量子点 异质外延 界面调控
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2178-2193
• 页数: 16页
• 分类号: TN34
• 语种: 中文

摘要

硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-x Gex(0<x≤1)薄膜的生长,并对Si1-x Gex/Si异质结构的应力弛豫、热输运等方面展开了研究.运用低温外延和高温退火的方法实现了界面上位错的调控,获得了具有超高迁移率的Ge薄膜.此外,本文还介绍了硅基上Ge量子点的生长和调控.以上工作为大失配异质结构外延的理论研究和应用提供了新的思路和方法.