高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

• 作者: 冯倩 张晋 张进成 田旭升 穆文祥 胡壮壮 贾志泰 郝跃 陶绪堂
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化镓单晶 导模法 n型掺杂 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2194-2199
• 页数: 6页
• 分类号: TN311.7
• 语种: 中文

摘要

本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2 O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好.紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV.此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm2,展示了优异性能.