碱性抛光液中铜和钽CMP的去除速率控制和电偶腐蚀研究

• 作者: 刘佳 回广泽 张鑫博 李灿 潘国峰 王辰伟 胡连军
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 铜 钽 化学机械抛光 去除速率 高碘酸钾 十二烷基硫酸铵 腐蚀电位 电偶腐蚀
• 年，卷（期）: 2020,（23）
• 所属期刊栏目: 表面技术
• 页码范围: 1659-1666
• 页数: 8页
• 分类号: TG715
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2020.23.011

摘要

研究了不同浓度的高碘酸钾(KIO4)和配位剂柠檬酸钾对Cu和Ta的去除速率及腐蚀电位差的影响.由化学机械抛光(CMP)实验结果可知,随着KIO4浓度的提高,Cu的去除速率一直上升,而Ta的去除速率先上升后下降.在pH为10的情况下,当柠檬酸钾为30 mmol/L,KIO4为3 mmol/L时,Cu和Ta的去除速率分别为31.3 nm/min和58.8 nm/min.柠檬酸钾与KIO4的协同作用能够明显提高Ta的去除速率,有利于更好地实现Cu和Ta去除速率的选择性,但此时Cu和Ta之间的腐蚀电位差高达186 mV.为了改善Cu和Ta抛光后的表面形貌,尝试加入表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS).当ADS的添加量为15 mL/L时,Cu和Ta的去除速率非常接近,分别为46.4 nm/min和49.6 nm/min.模拟CMP过程的动态电化学测试结果显示此时Cu和Ta之间的腐蚀电位差只有11 mV,表明加入ADS能够较好地减轻Cu和Ta之间的电偶腐蚀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘国峰		70	462	10.0	18.0
2	王辰伟		80	287	8.0	10.0
3	刘佳		40	72	4.0	5.0
4	李灿		5	1	1.0	1.0
5	胡连军		1	0	0.0	0.0
6	张鑫博		1	0	0.0	0.0
7	回广泽		1	0	0.0	0.0