Cu/Sn原子比对溅射法制备的Cu2SnS3薄膜性能的影响

• 作者: 周健飞 崔广州 林真 程树英 胡晟 贾宏杰 钟胜铨 马为民
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu2SnS3薄膜 磁控溅射 Cu/Sn原子比 太阳电池吸收层
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺·技术
• 页码范围: 11171-11174
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2020.11.025

摘要

利用磁控溅射法在玻璃基片上沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S:N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜.制备出Cu/Sn原子比不同的薄膜样品,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征.研究了Cu/Sn原子比对Cu2SnS3薄膜性能的影响.结果表明,制备的薄膜是(-131)晶向择优生长的Cu2SnS3多晶薄膜,当Cu2SnS3薄膜的Cu/Sn原子比为1.91时,获得结晶性能优异、半导体性能满足太阳电池对吸收层要求的P型Cu2SnS3半导体薄膜,此薄膜在其光学吸收边具有较高的光吸收系数2.07×104 cm-1、合适的载流子浓度6.6×1018 cm-3、较高的载流子迁移率5.1 cm2 v-1 s-1及较窄的禁带宽度0.97 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林真		6	46	4.0	6.0
2	程树英		96	443	11.0	17.0
3	贾宏杰		4	2	1.0	1.0
4	马为民		2	0	0.0	0.0
5	胡晟		2	0	0.0	0.0
6	崔广州		2	0	0.0	0.0
7	周健飞		1	0	0.0	0.0
8	钟胜铨		1	0	0.0	0.0