自支撑氮化硅膜结构制备工艺优化

• 作者: 王付雄 谢婉谊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 干法刻蚀 各向异性湿法腐蚀 单晶硅 自支撑膜结构
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2358-2364
• 页数: 7页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文

摘要

自支撑氮化硅膜结构一般是基于微纳加工技术来制备的.为了提高膜结构的品质,本文分别对自支撑氮化硅膜结构制备中的干法刻蚀参数和各向异性湿法腐蚀参数进行了研究和优化,其中干法刻蚀参数主要包括反应气体配比和刻蚀时间,各向异性湿法腐蚀参数主要包括腐蚀剂浓度和腐蚀温度.在不同的参数组合下进行实验,使用光学显微镜观察并比较不同样品的表面形貌,得到了较理想的参数组合.在干法刻蚀的反应气体中加入少量O2可改善刻蚀效果,反应气体配比V(SF6):V(CHF3):V(O2)=6:37:3,刻蚀时间2 min.湿法腐蚀中腐蚀剂在质量分数25％处达到最大的硅腐蚀速率,同时氮化硅表面形貌也较理想.