H,F修饰单层GeTe的电子结构与光催化性质

• 作者: 康文斌 张鹏程 方文玉 赵军
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单层GeTe 电子结构 有效质量 光催化性能
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 154-163
• 页数: 10页
• 字数: 4725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191391

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了单层GeTe、表面氢化及氟化单层GeTe的晶体结构、稳定性、电子结构和光学性质.计算结果表明,经过修饰后,GeTe的晶格常数、键角、键长增大,且均具有较好的稳定性.电子结构分析表明,单层GeTe为间接带隙半导体,全氢化修饰、全氟化修饰以及氢氟共修饰(F,Ge同侧;H,Te同侧)则转变为直接带隙半导体,且修饰后的能隙均不同程度减小.载流子有效质量表明,全氢化、全氟化以及氢氟共修饰GeTe(F,Ge同侧;H,Te同侧)的有效质量减小,其载流子迁移率增强.带边势分析结果显示,单层GeTe能够光裂解水制氢和析氧,而修饰后的GeTe的价带带边势明显下移,其氧化性明显增强,能够光裂解水析O2,H2O2,O3以及OH·等产物.光学性质表明,修饰后的GeTe对可见光区和红、紫外区的光谱吸收效果明显增强,表明其在光催化领域有着广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方文玉	湖北医药学院公共卫生与管理学院	6	1	1.0	1.0
2	张鹏程	湖北医药学院公共卫生与管理学院	11	4	1.0	1.0