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摘要:
第三代半导体也被称为宽带隙半导体,主要是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的半导体材料,可应用于光电、电力电子和微波射频等领城,其中,碳化硅目前主要是.用在650V以上的高压功率器件领域,而氮化镓主要是用在650V以下的中低压功率器件领域及微波射频和光电领域。第三代半导体是5G、人工智能、工业互联网等多个“新基建”领域的重要材料,也是各国半导体研究领域的热点。
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文献信息
篇名 国产替代逻辑持续兑现第三代半导体站上风口
来源期刊 变频器世界 学科 工学
关键词 宽带隙半导体 微波射频 半导体材料 电力电子 第三代半导体 人工智能 半导体研究 工业互联网
年,卷(期) 2020,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 49-49
页数 1页 分类号 TN3
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研究主题发展历程
节点文献
宽带隙半导体
微波射频
半导体材料
电力电子
第三代半导体
人工智能
半导体研究
工业互联网
研究起点
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期刊影响力
变频器世界
月刊
1561-0330
大16开
深圳市南山区高新南区科苑南路中地数码大厦
1997
chi
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