缺陷组合嵌入VO2薄膜结构的可调太赫兹吸收器

• 作者: 李九生 陈旭生
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 太赫兹波 二氧化钒 多缺陷组合 太赫兹吸收器
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 227-233
• 页数: 7页
• 字数: 2723字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191511

摘要

提出一种多缺陷组合嵌入VO2薄膜结构的可调太赫兹吸收器,它由上表面金属图案层、基体和底层金属板三层结构组成,在上表面和基体之间嵌入二氧化钒介质.计算结果表明在f=4.08 THz和f=4.33 THz两频点吸收率分别为99.8％和99.9％.通过改变外界环境温度可控制二氧化钒相变,从而使两个频点吸收率从99.8％变化到1.0％.改变入射角和偏振态,计算结果表明在入射角0°—40°,吸收器在TE和TM两种极化波下吸收率都能在98％以上.该太赫兹波吸收器具有高吸收、动态调谐、极化不敏感等特性,本文所设计的可调太赫兹吸收器在太赫兹波相关领域,例如探测器、开关、动态调制器、隐身技术等方面具有很好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李九生	中国计量大学太赫兹研究所	55	232	9.0	13.0
2	陈旭生	中国计量大学太赫兹研究所	1	0	0.0	0.0