CeO2掺杂Si-B复合涂层的制备及氧化行为

• 作者: 冯鹏发 宁璠 张勇 张宇涛 张耿飞 晁奕
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 钼 两步包埋渗 Si-B复合涂层 CeO2 掺杂
• 年，卷（期）: 2020,（18）
• 所属期刊栏目: 无机非金属及其复合材料
• 页码范围: 18035-18038
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.44
• 字数: 3556字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/cldb.19070218

摘要

采用两步包埋渗的方法在钼基体表面制备了不同CeO2掺杂量的Si-B复合涂层,通过XRD、EDS和SEM分析了CeO2掺杂对Si-B复合涂层在1150℃氧化前后表面物相和截面形貌的影响,并采用失重法研究了CeO2掺杂前后Si-B复合涂层在1150℃下氧化160 h的氧化动力学行为.结果表明:适量CeO2的掺杂对Si具有一定的催渗效果,当CeO2掺杂量为1%(质量分数)时,所制备的Si-B复合涂层的厚度最大且均匀致密,但随着CeO2掺杂量的增加,涂层厚度有所减小.CeO2掺杂Si-B复合涂层在1150℃下氧化前70 h的氧化速率常数值(1.4810-4 mg2/(cm4·h))较未掺杂时明显降低,这表明CeO2掺杂Si-B复合涂层的高温抗氧化性能较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯鹏发	金堆城钼业股份有限公司技术中心	27	100	5.0	9.0
2	张耿飞	长安大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
3	张宇涛	长安大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
4	宁璠	长安大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
5	晁奕	长安大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0