一种超低功耗的全CMOS基准电压源设计

• 作者: 王梓淇 王永顺 陈昊
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 全CMOS 带隙基准 基准电压源 电路设计 超低能耗 Cadence仿真
• 年，卷（期）: 2020,（16）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 1-3,8
• 页数: 4页
• 分类号: TN402-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2020.16.001

摘要

基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计一款纳瓦级功耗的全CMOS带隙基准电路.该电路由全CMOS电路实现,避免使用三极管和电阻,实现了节省芯片面积的目的.晶体管工作在三极管区和亚阈值区,大幅降低了功耗.Cadence仿真结果表明:在-20～100℃范围内,温度系数为31 ppm/℃;在电源电压1.2～3.3 V的变化范围内,电源电压漂移系数为0.42％/V.参考电源电压下,电路的电源抑制比(PSRR)达到51.7 dB@100 Hz;室温下,电路总静态电流为22.8 nA,功耗为27.4 nW@1.2 V;该电路可调节性强,适用于低功耗芯片中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永顺	兰州交通大学电子与信息工程学院	35	128	7.0	9.0
2	王梓淇	兰州交通大学电子与信息工程学院	2	0	0.0	0.0
3	陈昊	兰州交通大学电子与信息工程学院	3	0	0.0	0.0