铝屏蔽间隙对聚醚醚酮高能电子辐射下介质深层充电特性的影响

• 作者: 卜文 王威望 李盛涛
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 电子辐射 介质深层充电 聚醚醚酮 铝屏蔽间隙 电荷积聚
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 电介质与电气绝缘|Dielectric and Electrical Insulation
• 页码范围: 4031-4041
• 页数: 11页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20191264

摘要

航天器电源系统、导电旋转机构等部件外层使用金属屏蔽层进行辐射防护,屏蔽层会影响电子辐射下介质充放电特性.为此以聚醚醚酮为研究对象,通过设置铝屏蔽层与介质之间的间隙,构建具有不同铝屏蔽与介质间隙结构的二维介质深层充电仿真模型;采用有限元分析方法仿真分析了电子辐射下,不同铝屏蔽间隙对聚醚醚酮充电特性的影响,并分析了工作电压极性的影响.结果 表明,铝屏蔽距离越小,介质表面电荷积聚越严重,且积聚量随辐射时间增加而增大.当铝屏蔽接触介质时,介质表面电荷积聚量迅速减小,瞬时表面电荷会发生变化,随时间增加,表面电荷很小且基本不变,介质内部电荷也减小,同时,靠近铝屏蔽侧出现正负电荷峰.铝屏蔽不接触介质且工作电压为正极性时,表面电荷减少;为负时表面电荷增加.铝屏蔽接触介质和距离较远时有利于缓解介质充放电效应,提高航天器运行稳定性.