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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同能量质子辐照损伤模拟
GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同能量质子辐照损伤模拟
作者:
宁浩
徐瑞
李俊炜
焦仟丽
王祖军
石成英
薛院院
贾同轩
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
三结太阳电池
辐照缺陷
质子辐照模型
数值模拟
摘要:
以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7,1,3,5,10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照条件下的I-V曲线,光谱响应曲线,结合已有实验结果验证了本文模拟结果,分析了三结太阳电池短路电流、开路电压、最大功率、光谱响应随质子能量的变化规律,利用不同辐照条件下三结太阳电池最大输出功率退化结果,拟合得到了三结太阳电池最大输出功率随位移损伤剂量的退化曲线.研究结果表明,质子辐照会在三结太阳电池中引入位移损伤缺陷,使得少数载流子扩散长度退化幅度随质子能量的减小而增大,从而导致三结太阳电池相关电学参数的退化随质子能量的减小而增大.相同辐照条件下,中电池光谱响应退化幅度远大于顶电池光谱响应退化幅度,中电池抗辐照性能较差,同时中电池长波范围内光谱响应的退化幅度比短波范围更大,表明中电池相关电学参数的退化主要来源于基区损伤.
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少数载流子寿命
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文献信息
篇名
GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同能量质子辐照损伤模拟
来源期刊
物理学报
学科
关键词
三结太阳电池
辐照缺陷
质子辐照模型
数值模拟
年,卷(期)
2020,(9)
所属期刊栏目
物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向
页码范围
289-299
页数
11页
分类号
字数
4436字
语种
中文
DOI
10.7498/aps.69.20191878
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李俊炜
1
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2
王祖军
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究院
1
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3
石成英
1
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薛院院
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究院
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宁浩
湘潭大学材料科学与工程学院
1
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徐瑞
湘潭大学材料科学与工程学院
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焦仟丽
湘潭大学材料科学与工程学院
1
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8
贾同轩
湘潭大学材料科
1
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二级参考文献(0)
2020(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
三结太阳电池
辐照缺陷
质子辐照模型
数值模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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