U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响

• 作者: 于国浩 唐文昕 张丽 张宝顺 徐坤 陈扶
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管, U型槽,射频功率,刻蚀掩模
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 263-269
• 页数: 7页
• 字数: 4044字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191850

摘要

U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频功率和刻蚀掩模,研究了GaN垂直沟槽型MOSFET电学特性的工艺依赖性.研究结果表明,适当降低射频功率,在保证侧壁陡直的前提下可以改善沟道电子迁移率,从35.7 cm2/(V·s)提高到48.1 cm2/(V·s),并提高器件的工作电流.沟道处的界面态密度可以通过亚阈值摆幅提取,射频功率在50 W时界面态密度降低到1.90×1012 cm–2·eV–1,比135 W条件下降低了一半.采用SiO2硬刻蚀掩模代替光刻胶掩模可以提高沟槽底部的刻蚀均匀性.较薄的SiO2掩模具有更小的侧壁面积,高能离子的反射作用更弱,过刻蚀现象明显改善,制备出的GaN垂直沟槽型MOSFET沟道场效应迁移率更高,界面态密度更低.