硅(001)图形衬底上锗硅纳米线的定位生长

• 作者: 冯琦 张建军 王霆 高飞
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 分子束外延 量子比特 图形衬底 锗硅纳米线
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 256-261
• 页数: 6页
• 字数: 2241字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191407

摘要

纳米线的定位生长是实现纳米线量子器件寻址和集成的前提.结合自上而下的纳米加工和自下而上的自组装技术,通过分子束外延生长方法,在具有周期性凹槽结构的硅(001)图形衬底上首先低温生长硅锗薄膜然后升温退火,实现了有序锗硅纳米线在凹槽中的定位生长,锗硅纳米线的表面晶面为(105)晶面.详细研究了退火温度、硅锗的比例及图形周期对纳米线形成与否,以及纳米线尺寸的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王霆	中国科学院物理研究所纳米物理与器件重点实验室	7	16	3.0	3.0
2	张建军	中国科学院物理研究所纳米物理与器件重点实验室	35	251	8.0	15.0
3	高飞	中国科学院物理研究所纳米物理与器件重点实验室	45	265	10.0	14.0
7	冯琦	中国科学院物理研究所纳米物理与器件重点实验室	1	0	0.0	0.0