自旋发光二极管研究进展

• 作者: 梁世恒 陆沅 韩秀峰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 半导体自旋电子学 自旋发光二极管 自旋极化 自旋注入
• 年，卷（期）: 2020,（20）
• 所属期刊栏目: 专题:太赫兹自旋光电子
• 页码范围: 44-54
• 页数: 11页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200866

摘要

半导体自旋电子学是凝聚态物理研究中重要的研究领域之一,在20多年的发展历程中交叉了多学科领域,其中结合了磁性材料和半导体材料复合结构而开展的关于自旋注入、操纵及光学探测研究的自旋发光二极管展现出丰富的物理性质.自旋发光二极管的研究涉及自旋注入端和激活区的材料、结构和物理.本文将从自旋注入、自旋输运和自旋探测三个方面概述自旋发光二极管中所涉及的自旋相关物理,并进一步介绍自旋发光二极管的研究历程及其最新结果进展,最后进一步对未来研究趋势进行展望.