极低内部光学损耗975 nm半导体激光器

• 作者: 曼玉选 仲莉 马骁宇 刘素平
• 来源期刊: 光学学报
• 关键词: 激光器 内损耗 高功率 非对称 掺杂
• 年，卷（期）: 2020,（19）
• 所属期刊栏目: 激光器与激光光学|Lasers and Laser Optics
• 页码范围: 114-118
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS202040.1914001

摘要

通过对波导结构和P包层的掺杂分布进行优化,减少了光场与P包层掺杂区的交叠,从而减小了半导体激光器的内部光学损耗.同时使用宽带隙GaAsP作为势垒层可以减少有源区载流子泄露,实现了内部光学损耗为0.259 cm-1.所制备的975nm波长、100 μm条宽、4 mm腔长单管器件,在室温下器件的连续输出光功率达到21W.当输出功率为20 W时,功率转换效率仍大于50％.