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摘要:
Two-dimensional topological insulators (2DTIs) have attracted increasing attention during the past few years.New 2DTIs with increasing larger spin-orbit coupling (SOC) gaps have been predicted by theoretical calculations and some of them have been synthesized experimentally.In this review,the 2DTIs,ranging from single element graphene-like materials to bi-elemental transition metal chalcogenides (TMDs) and to multi-elemental materials,with different thicknesses,structures,and phases,have been summarized and discussed.The topological properties (especially the quantum spin Hall effect and Dirac fermion feature) and potential applications have been summarized.This review also points out the challenge and opportunities for future 2DTI study,especially on the device applications based on the topological properties.
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文献信息
篇名 Progress on 2D topological insulators and potential applications in electronic devices
来源期刊 中国物理B(英文版) 学科
关键词
年,卷(期) 2020,(9) 所属期刊栏目 TOPICAL REVIEW—Topological 2D materials
研究方向 页码范围 38-47
页数 10页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1088/1674-1056/aba9c5
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期刊影响力
中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
eng
出版文献量(篇)
17050
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