GeSe2中强各向异性偏振相关的非线性光学响应

• 作者: 张晨希 欧阳昊 江天 申曼玲 程湘爱 胡思扬
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 各向异性 激发态吸收 微区I扫描
• 年，卷（期）: 2020,（18）
• 所属期刊栏目: 专题:低维材料非线性光学与器件
• 页码范围: 175-184
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200443

摘要

二硒化锗(GeSe2)作为一种层状IV-VI族半导体,具有面内各向异性结构及宽能带间隙,表现出了独特的光、电及热学性能.本文利用偏振拉曼光谱和线性吸收谱分别对GeSe2纳米片的晶轴取向和能带特性进行表征,并以此为依据采用微区I扫描系统研究了GeSe2在共振能带附近的光学非线性吸收机制.结果 表明,GeSe2中非线性吸收机制为饱和吸收与激发态吸收的叠加,且对入射光偏振与波长均有强烈的依赖.近共振激发(450 nm)条件下,激发态吸收对偏振的依赖程度比较大,随着入射光偏振的不同,非线性调制深度可由4.6％ 变化至9.9％;而非共振激发(400 nm)时,该调制深度仅由7.0％ 变化至9.7％.同时,相比于饱和吸收,激发态吸收的偏振依赖程度受远离共振激发波长的影响而变化更大.