构建垂直金纳米棒阵列增强NaYF4:Yb3+/Er3+纳米晶体的上转换发光

• 作者: 严学文 刘琳 孙泽煜 张晨雪 王勇凯 王博扬 程小同 董军 韩庆艳 韩珊珊 高伟
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 上转换发光 金纳米棒垂直阵列 NaYF4:Yb3+/Er3+纳米晶体 等离激元
• 年，卷（期）: 2020,（18）
• 所属期刊栏目: 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
• 页码范围: 260-269
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200575

摘要

以金纳米棒垂直阵列(gold-nanorods vertical array,GVA)为衬底,SiO2为隔离层,构建GVA@SiO2@NaYF4:Yb3+/Er3+纳米复合结构.在近红外980 nm激发下,通过改变中间隔离层SiO2的厚度,研究GVA对NaYF4:Yb3+/Er3+纳米晶体上转换发光的调控规律.实验结果表明,当SiO2层的厚度增大至8 nm时,Er3+离子整体的上转换发射强度增大近8.8倍,且红光强度增强尤为明显,约为16.2倍.为了进一步证实GVA对Er3+离子红光发射的增强效果,以红光发射为主的NaYF4:40％Yb3+/2％Er3+纳米晶体为对象展开研究,发现Er3+离子红绿比由1.84增加到2.08,证实该复合结构更有利于提高红光的发射强度.通过对其光谱特性、发光动力学过程的研究并结合其理论模拟,证实了上转换发光的增强是由激发与发射增强共同作用,而激发增强占据主导地位.采用该套复合体结构实现上转换荧光发射的增强,不仅有效地利用了贵金属的等离激元共振特性,而且对深入理解等离激元增强上转换发光的物理机理提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董军		27	109	6.0	9.0
2	严学文		18	36	3.0	5.0
3	刘琳		17	47	4.0	6.0
4	高伟		14	20	2.0	3.0
5	王博扬		3	0	0.0	0.0
6	孙泽煜		3	0	0.0	0.0
7	张晨雪		3	0	0.0	0.0
8	韩庆艳		3	0	0.0	0.0
9	韩珊珊		1	0	0.0	0.0
10	程小同		1	0	0.0	0.0
11	王勇凯		1	0	0.0	0.0