Flash存储阵列坏块管理方法的设计与实现

• 作者: 张雪钰 焦新泉 刘东海
• 来源期刊: 电子测量技术
• 关键词: NAND Flash 整合块 BRAM查表 坏块管理
• 年，卷（期）: 2020,（20）
• 所属期刊栏目: 研究与设计|Research and Design
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: TP301
• 语种: 中文
• DOI: 10.19651/j.cnki.emt.2004847

摘要

目前高速大容量存储多采用Flash阵列架构,解决高速存储阵列中Flash芯片的坏块管理是提高该阵列存储可靠性和存储速度的关键.针对Flash阵列的坏块管理,提出基于整合块映射的坏块管理策略和基于BRAM查表法的坏块管理策略,并对这两种方案进行对比,同时对传统突发坏块的管理方法进行优化,通过空闲回读模式来保证数据存储速度.经在线仿真与实际测试,可正确找出坏块地址且数据正确无误码,验证了上述方法的正确性和可操作性,同时对整合块管理方法造成的容量损失进行极限计算与实际测试,损失容量在1％以下,完全满足工程需求.