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摘要:
近年来, 在神经形态电子中, 能够模拟突触功能的人工突触器件的研发引起了广泛关注. 本文利用水热法制备出高比表面积的基于MoO3纳米片的薄膜, 并将其用于人工突触器件的制备, 成功模拟了如: 突触后兴奋电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、脉冲持续时间依赖可塑性(SDDP)、脉冲电压依赖可塑性(SVDP)及脉冲速率依赖可塑性(SRDP)等神经突触的重要功能.
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制备方法
性质
应用
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 基于水热法制备三氧化钼纳米片的人工突触器件
来源期刊 物理学报 学科
关键词 人工突触 水热合成 三氧化钼纳米片 突触可塑性
年,卷(期) 2020,(23) 所属期刊栏目 专题:柔性电子
研究方向 页码范围 1-7
页数 7页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.69.20200928
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研究主题发展历程
节点文献
人工突触
水热合成
三氧化钼纳米片
突触可塑性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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