SiC功率器件专利布局的研究与分析

• 作者: 卢振宇 徐国亮
• 来源期刊: 软件
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 功率器件 专利布局 发展路线
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 设计研究与应用
• 页码范围: 153-157,164
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6970.2020.09.041

摘要

近年来,作为第三代半导体器件代表的SiC功率器件的技术发展引人注目.通过对SiC功率器件的分类与研发热点的介绍,同时对于SiC功率器件在全球和在华的专利布局趋势、主要申请主体以及重点专利技术发展路线的研究与分析,让国内企业了解行业竞争态势,作为未来发展方向的情报资源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐国亮		10	6	1.0	2.0
2	卢振宇		1	0	0.0	0.0