Picosecond terahertz pump-probe realized from Chinese terahertz free-electron laser

• 作者: Chao Wang Chao Zhang Dai Wu Hong-Ying Mei Hua Qin Hua Wen Lan Ding Ming Li Peng Li Wen Xu Xin-Nian Zhao Yong Xu
• 来源期刊: 中国物理B（英文版）
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: RAPID COMMUNICATION
• 页码范围: 139-145
• 页数: 7页
• 语种: 英文
• DOI: 10.1088/1674-1056/ab961b

摘要

Electron energy relaxation time τ is one of the key physical parameters for electronic materials.In this study,we develop a new technique to measure τ in a semiconductor via monochrome picosecond (ps) terahertz (THz) pump and probe experiment.The special THz pulse structure of Chinese THz free-electron laser (CTFEL) is utilized to realize such a technique,which can be applied to the investigation into THz dynamics of electronic and optoelectronic materials and devices.We measure the THz dynamical electronic properties of high-mobility n-GaSb wafer at 1.2 THz,1.6 THz,and 2.4 THz at room temperature and in free space.The obtained electron energy relaxation time for n-GaSb is in line with that measured via,e.g.,four-wave mixing techniques.The major advantages of monochrome ps THz pump-probe in the study of electronic and optoelectronic materials are discussed in comparison with other ultrafast optoelectronic techniques.This work is relevant to the application of pulsed THz flee-electron lasers and also to the development of advanced ultrafast measurement technique for the investigation of dynamical properties of electronic and optoelectronic materials.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	Chao Wang	中国科学院合肥物质科学研究院	1	0	0.0	0.0
2	Wen Xu	中国科学院合肥物质科学研究院	1	0	0.0	0.0
3	Hong-Ying Mei	中国科学院合肥物质科学研究院	1	0	0.0	0.0
4	Hua Qin	中国科学院合肥物质科学研究院	1	0	0.0	0.0
5	Xin-Nian Zhao	中国科学院合肥物质科学研究院	1	0	0.0	0.0
6	Hua Wen	中国科学院合肥物质科学研究院	1	0	0.0	0.0
7	Chao Zhang	中国科学院合肥物质科学研究院	2	0	0.0	0.0
8	Lan Ding	中国科学院合肥物质科学研究院	1	0	0.0	0.0
9	Yong Xu	中国科学院合肥物质科学研究院	1	0	0.0	0.0
10	Peng Li	中国科学院合肥物质科学研究院	1	0	0.0	0.0
11	Dai Wu	中国科学院合肥物质科学研究院	1	0	0.0	0.0
12	Ming Li	中国科学院合肥物质科学研究院	1	0	0.0	0.0