亚像素边缘提取方法在半导体芯片定位中的应用

• 作者: 柳青 颜剡
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: 亚像素 高斯拟合 形态学梯度
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 电子工程
• 页码范围: 55-57
• 页数: 3页
• 分类号: TP391.41
• 字数: 2532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2020.10.018

摘要

边缘提取是实现芯片定位的重要环节,为适应高精度的定位要求,提出一种粗精结合的亚像素边缘提取的方法.首先计算图像的形态学梯度,获得边缘的像素级位置,然后根据边缘附近像素灰度值的单调性筛选出有用的特征点,再利用最小二乘法将特征点像素值拟合为高斯曲线,曲线的中点即为亚像素位置.最后通过实验测得该方法的检测误差为0.2像素,并具有较好的稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柳青		2	0	0.0	0.0
2	颜剡		1	0	0.0	0.0