铜掺杂Cu2SnSe4的热电输运性能

• 作者: 胡剑峰 郑丽仙 骆军
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Cu2SnSe4 热电性能 小极化子跃迁
• 年，卷（期）: 2020,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 253-260
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200861

摘要

Cu2SnSe4化合物具有本征的低热导率和可调控的电导率, 同时不含稀贵元素、无毒和价格低廉, 具有作为中温区热电材料的潜力. 本文通过高能球磨结合放电等离子烧结制备了Cu2SnSe4以及Cu掺杂的Cu2+xSnSe4块体材料(0.2≤x≤1). 研究了Cu掺杂填充Cu/Sn位置上1/4本征空位对Cu2+xSnSe4热电性能的影响, 发现Cu/Sn中1/4空位能够被Cu完全填满(x = 1), 且Cu掺杂能够大幅度地提升(可达两个数量级)样品的电导率, 从而显著提高了功率因子. 同时, 发现在大Cu掺杂量范围(0.1≤x≤0.8)内, Cu2+xSnSe4电导率增长与掺杂量增加呈线性关系, 且载流子迁移率随Cu掺杂量的增加而增加. 进一步的研究发现, 载流子在Cu2+xSnSe4中的电输运行为遵循电子-声子耦合的小极化子模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	骆军		11	37	3.0	6.0
2	郑丽仙		1	0	0.0	0.0
3	胡剑峰		2	0	0.0	0.0