一种基于氮化镓晶体管的DC/DC电源模块

• 作者: 刘阔 徐林 王鑫
• 来源期刊: 通信电源技术
• 关键词: 氮化镓 DC/DC 电源模块 高频
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 研制开发
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 字数: 1767字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19399/j.cnki.tpt.2020.11.012

摘要

随着电力电子技术的进步,开关电源越来越趋向于高频化和小型化.继硅和砷化镓之后出现的第三代半导体材料氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料,具有临界击穿电场大、电子迁移率高及导热率高等特点.氮化镓晶体管适用于高频、高压、高温等场合.因此,使用氮化镓晶体管代替硅基MOSFET,设计了一款带有同步整流功能的硬开关半桥DC/DC电源模块,输入电压36～60 V,输出28 V/5 A,初级氮化镓晶体管开关频率400 kHz,输出纹波频率800 kHz.测试结果表明:使用氮化镓晶体管可以使DC/DC电源模块工作在较高频率而不会带来效率的大幅下降,同时使用小型LC滤波器即可实现低输出纹波.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鑫		23	33	4.0	4.0
2	徐林		17	37	3.0	5.0
3	刘阔		1	0	0.0	0.0