面向非易失性内存文件系统的NVM模拟与验证方法

• 作者: 吴林 王鑫鑫 诸葛晴凤
• 来源期刊: 计算机科学
• 学科: 工学
• 关键词: 非易失性存储器 内存文件系统 写时延 磨损均衡
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 数据库&大数据&数据科学
• 页码范围: 74-80
• 页数: 7页
• 分类号: TP316.89
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/jsjkx.190700037

摘要

现有非易失性内存文件系统都以DRAM模拟非易失性内存(Non-Volatile Memory,NVM)进行测试,而没有充分考虑两者间的写时延和写磨损特性差异,使得测试结果无法准确反映文件系统在NVM物理设备上的写性能以及对NVM造成的磨损情况.现有NVM模拟器准确度不高,且仿真接口不完备,无法满足内存文件系统对NVM的仿真需求.对此,提出一种面向非易失性内存文件系统的NVM模拟与验证方法.首先,结合非易失性内存文件系统本身的数据读写特性,提出内存文件系统中NVM写时延的模拟方案;其次,跟踪内存文件系统对NVM的读写操作,以验证文件系统对NVM物理设备的写磨损分布情况.选取多个典型内存文件系统实现上述方法.实验结果表明,提出的写时延模拟方法能够将写时延的模拟误差平均降低65％,写磨损验证方法能够较准确地反映内存文件系统对不同粒度NVM页面的磨损分布情况.