IGBT串联电压失衡机理研究

• 作者: 张赛 赵景
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: IGBT串联使用 串联电压失衡 失衡因素分析 电压平衡方法 高压击穿 理论分析
• 年，卷（期）: 2020,（20）
• 所属期刊栏目: 计算机科学与应用
• 页码范围: 126-130
• 页数: 5页
• 分类号: TN834-34|TP391.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2020.20.032

摘要

在高压开关场合的IGBT串联应用中,由于IGBT本身、电路参数、器件温差、驱动信号差异、寄生电容差异等因素的影响,使得IGBT串联使用中存在电压失衡导致高压击穿的问题,影响整个系统的正常工作.因此,文中就导致电压失衡的因素进行分析与研究,针对造成电压失衡的影响因素进行理论分析,对IGBT串联电压失衡机理进行了较为深入的研究,并提出平衡串联IGBT串联动态电压的方法.通过分析得出引起串联IGBT动态电压失衡的根本原因有三方面:动态阻抗不一致导致的动态分压不一致;开关时刻及速度不一致;寄生电容引起的分流导致各级IGBT流过的电流不一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张赛		12	13	3.0	3.0
2	赵景		1	0	0.0	0.0