GGNMOS ESD器件的建模与仿真

• 作者: 赵莉
• 来源期刊: 通信电源技术
• 关键词: ESD器件 GGNMOS 模型仿真 参数确定
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 设计应用
• 页码范围: 113-115
• 页数: 3页
• 字数: 1280字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19399/j.cnki.tpt.2020.08.034

摘要

完成了GGNMOS ESD器件的建模,提出了ESD瞬时大脉冲条件下二次击穿前保护器件GGNMOS的理论模型,并利用Spectre工具完成了模型的仿真验证.通过仿真得到二次击穿前保护器件GGNMOS I-V特性曲线,确定设计的GGNMOS器件的触发电压Vt、维持电压Vp等电参数能否满足ESD器件设计窗口的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵莉		2	0	0.0	0.0